Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.I. Bergman"'
Autor:
C. Kadow, Mark J. W. Rodwell, Berinder Brar, G. Nagy, Arthur C. Gossard, Mattias E. Dahlstrom, J.-U. Bae, J.I. Bergman, Gerard Sullivan, H.-K. Lin
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:151-158
We report a submicrometer, self-aligned recess gate technology for millimeter-wave InAs-channel heterostructure field effect transistors. The recess gate structure is obtained in an n/sup +/-InAs-InAlAs double cap layer structure with a citric-acid-b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48295856f4205deaacd7fe0dbdc9659a
https://doi.org/10.1109/ted.2004.842534
https://doi.org/10.1109/ted.2004.842534
Autor:
S. Yoo, P. Chin, A. Raghavan, Po-Hsin Liu, S. Nuttinck, J. Laskar, Richard Lai, J.I. Bergman, M.R. Murti, Michael E. Barsky, R. Grundbacher, J.J. Bautista
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 48:2579-2587
In this paper, we present detailed on-wafer S-parameter and noise parameter measurements and modeling of ZnP/InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors (0.1-/spl mu/m gate length) at cryogenic temperatures. Various physical effects influencing
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::798dcdc47124b1edfade316e0fbdb698
https://doi.org/10.1109/22.899016
https://doi.org/10.1109/22.899016
Autor:
J.I. Bergman, J. Chang, Y. Joo, B. Matinpour, J. Laskar, N.M. Jokerst, M.A. Brooke, B. Brar, E. Beam
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:119-122
The combination of resonant tunneling diodes (RTDs) and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) silicon circuitry can offer substantial improvement in speed, power dissipation, and circuit complexity over CMOS-only circuits. We demonstrate the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8f3020acc1c75ca851ab550df09a6cc
https://doi.org/10.1109/55.748907
https://doi.org/10.1109/55.748907
Publikováno v:
1999 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.99CH36282).
In this paper we present the first large signal analysis of thin film HBTs by experimental load pull measurements. InP HBTs are fully characterized before and after substrate removal and integration onto electrically insulating substrates, and show p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::088671a0b4908ec5949d14e09093e7f9
https://doi.org/10.1109/mwsym.1999.779839
https://doi.org/10.1109/mwsym.1999.779839
Publikováno v:
2001 IEEE MTT-S International Microwave Sympsoium Digest (Cat. No.01CH37157).
We report on the design and microwave performance of a novel tunnel diode-based oscillator designed for 5 GHz in a monolithic IC technology. The fundamental output power of the oscillator is -18.8 dBm at 4.7 GHz, with second and third harmonic power
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ddcbffb8747e91644b2e731a48c11a52
https://doi.org/10.1109/mwsym.2001.967348
https://doi.org/10.1109/mwsym.2001.967348
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.