Zobrazeno 1 - 10
of 842
pro vyhledávání: '"J.H. Evans"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 17:94-99
This work describes a comparison of current density–voltage (J–V) and capacitance–voltage (C–V) properties measured as a function of temperature; deep trap properties are measured by deep level transient spectroscopy (DLTS) of Schottky diodes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4bb69fe1034c6cd533f50d38c94a228f
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.08.006
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2013.08.006
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.H. Evans-Freeman, R. J. Airey, Menno J. Kappers, O.S. Elsherif, Colin J. Humphreys, K.D. Vernon-Parry
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 407:2960-2963
Mg-doped GaN films have been grown on (0 0 0 1) sapphire using metal organic vapour phase epitaxy. Use of different buffer layer strategies caused the threading dislocation density (TDD) in the GaN to be either approximately 2×109 cm−2 or 1×1010
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d30e7914c16f3d86f03517b7a8c7e783
https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.077
https://doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.077
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 146:231-235
We have investigated the photoluminescence (PL) decay from Er implanted, or grown, into strained SiGe/Si multiple quantum well (MQW) structures grown by molecular beam epitaxy, and compared it with that of Er implanted into crystalline Si. The Er con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c2f2ffb995abb75ce8fece939b67b7f6
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2007.07.012
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2007.07.012
Publikováno v:
Solid State Phenomena. :497-502
We have carried out DLTS in highly doped p+n Ultra Shallow Junctions (USJ) in Si formed by ion implantation. The samples were implanted either with a 10keV or a 5keV B implant at a dose of 5*1015cm15. The 10keV sample was also implanted with P and th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e60d6263daf079ee65baab154413d46
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.497
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.131-133.497