Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"J.G.J. Chern"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:1324-1334
A high quality 90-nm CMOS-based technology portfolio suitable for various RF IC applications is presented. The portfolio is built up by a wide selection of active and passive components and a user-friendly process design kit (PDK). Layout-optimized R
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::875d4ddf11396ccd45e60fbb5a312ca2
https://doi.org/10.1109/ted.2005.850631
https://doi.org/10.1109/ted.2005.850631
Autor:
P. Kempf, J.D. Cressler, K. Maggio, P. Lin, S. Maas, S. Uu, A. Wang, Yuhua Chang, Li-Wu Yang, Jenshafi Lin, J.G.J. Chern, D. Kehrer, D. Belot, M. Tiebout
Publikováno v:
2004 IEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Systems. Digest of Papers.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6db53ab47cf8b918e27ca049f812fa5c
https://doi.org/10.1109/rfic.2004.1320716
https://doi.org/10.1109/rfic.2004.1320716
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 1:170-173
A new method is proposed to electrically determine MOS transistor channel length with both accuracy and convenience. Based on the linear region relationship between effective channel length L eff and channel resistance R chan of an MOS transistor, th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ecbb556b7a6aaf7659ef1ce86caa09d
https://doi.org/10.1109/edl.1980.25276
https://doi.org/10.1109/edl.1980.25276
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 15:624-630
Using a combination of computer-aided and experimental techniques, MOS/VLSI short-channel device optimization is demonstrated. Eleven different channeI doping profiles are investigated using both single-implant and double-implant approaches. A short
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dd9061ebd2d3c90fded3ea2af52ef183
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051446
https://doi.org/10.1109/jssc.1980.1051446
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 33:1256-1262
Open-circuit failures caused by electromigration in Al/Si contacts are studied. This failure mode is associated with Al depletion or vacancy condensation over the entire position contact area. The contacts exhibiting this failure are those closest to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9723510d71dba0453e83eabd6ab99f9b
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22655
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22655
Autor:
J.G.J. Chern, William G. Oldham
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 5:178-180
A method is described to determine specific contact resistivity from contact end resistance measurements using a transmission line model. A test pattern is described which minimizes the effect of current fringing around contact corners and yields an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02499c5d154bc4e36d0b6316dc15f376
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25875
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25875
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.