Výsledky vyhledávání - "J.F. Kluender"

Aluminum-free strained-layer lasers emitting at 1.14 μm on low-composition InGaAs:n substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Autor: James J. Coleman, W.A. Bonner, B. Lent, A.H. Moore, J.F. Kluender, A.M. Jones

Publikováno v: IEEE Photonics Technology Letters. 9:1319-1321

Broad-area (W=150 /spl mu/m) single-quantum-well (SQW) lasers have been successfully fabricated on n-type In/sub 0.03/Ga/sub 0.97/As substrates without incorporating aluminum-containing alloys. The strained-layer InGaP-GaAs-InGaAs heterostructure was

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a32dce1b74257da3301849318c11861a
https://doi.org/10.1109/68.623249

Zobrazit plný text záznamu

1.14 μm strained-layer InGaAs-GaAs-InGaP SQW lasers on ternary In/sub 0.03/Ga/sub 0.97/As substrates by metalorganic chemical vapor deposition

Autor: Soonhee Roh, James J. Coleman, W.A. Bonner, A.H. Moore, A.M. Jones, J.F. Kluender

Publikováno v: Conference Proceedings LEOS'96 9th Annual Meeting IEEE Lasers and Electro-Optics Society.

In this talk, we present the design and device results of strained-layer InGaAs-GaAs-InGaP separate confinement heterostructure lasers emitting at 1.14 /spl mu/m fabricated on a ternary In/sub 0.03/Ga/sub 0.97/As substrate. The InGaAs substrate used

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64102095fb84908e6b8048079191023c
https://doi.org/10.1109/leos.1996.571584

Zobrazit plný text záznamu

Growth, characterization and modeling of InxGa1-xP stripes by selective-area MOCVD

Autor: James J. Coleman, J.F. Kluender, Robert M. Lammert, J. E. Baker, A.M. Jones

Publikováno v: ResearcherID

A computational diffusion model is used to predict the lateral thickness and composition profiles of InxGa1−xP stripes grown by selective-area, atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition. Standard profilometry is used to measure th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6d17d6431bc5b77db2687fa0ce94ccb8
http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:A1996VJ50400017&KeyUID=WOS:A1996VJ50400017

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání