Zobrazeno 1 - 10
of 102
pro vyhledávání: '"J.D. Hayden"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 26:410-414
A fully integrated system that facilitates the evaluation and prediction of hot-carrier effects at the circuit level is described. The system is capable of executing constant voltage and constant current ratio stress conditions at the transistor leve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7651307b21a52037715da2faa279121a
https://doi.org/10.1109/4.75027
https://doi.org/10.1109/4.75027
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.M. Dooley, J.D. Hayden
Publikováno v:
The Canadian journal of neurological sciences. Le journal canadien des sciences neurologiques. 31(4)
Background:Myoclonus is often associated with progressive myoclonic epilepsy or neurodegenerative conditions. Febrile myoclonus is a benign phenomenon, which has only been reported previously in one child.Methods:The clinical features of three childr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::048647ad5da9f8acb8838912087b64ff
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/15595256
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/15595256
Autor:
J.D. Hayden, R.C. Taft
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 16:88-90
We present the performance improvements obtained both by scaling the Selectively Compensated Collector (SCC) BJT and by using a modified Current-Mode Logic (CML) gate configuration. Scaling the perimeter parameter by using the (tighter) bitcell desig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b64e334557e85d46fa7570ca870a459
https://doi.org/10.1109/55.363233
https://doi.org/10.1109/55.363233
Autor:
B. Mowry, F.K. Baker, J.D. Hayden, L. Howington, B.B. Feaster, B. Garbs, T. Tiwald, P.M. Lee, P.G.Y. Tsui
Publikováno v:
IEEE Proceedings of the Custom Integrated Circuits Conference.
An integrated system designed to evaluate and predict hot-carrier effects at the circuit level is described. The system will perform device stress, collect data, extract parameters, and simulate circuit aging behavior using the circuit aging simulato
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a76bb3610a61fd5eb09e24065a42ffde
https://doi.org/10.1109/cicc.1990.124779
https://doi.org/10.1109/cicc.1990.124779
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 33:955-964
A simple dc four-terminal "channel-implanted model" is developed for the enhancement-mode IGFET. The model accurately predicts the dependence of transistor threshold voltage and current gain on substrate bias. Modeled and measured threshold voltages
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::409f04ef47f8cba6b9483dad6f38f190
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22601
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22601