Zobrazeno 1 - 10
of 95
pro vyhledávání: '"J.D. Bude"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 59:137-147
The present status of computational models for oxide reliability and their success in interpreting the experimental data are reviewed. We find that significant progress has been made in theoretical modeling of all aspects of reliability, and this und
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::35a1e277adf270671c13eadc589d4b13
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(01)00657-8
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(01)00657-8
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 47:1873-1881
This work shows how physically-based hot carrier simulation was used to understand the importance of CHannel Initiated Secondary ELectron (CHISEL) injection in scaled MOSFETs, and how it was used to develop a powerful CHISEL-based technique for low v
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::94ec8ce8b6df2d5e038f37f9da25d677
https://doi.org/10.1109/16.870565
https://doi.org/10.1109/16.870565
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:297-303
A first-principles approach to inversion layer quantization, valid for arbitrarily complex band structures, has been developed. This has allowed, for the first time, hole quantization and its effects on p-MOSFET device characteristics to be studied.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3ed6e1cf858e25252db7ebec0721f80
https://doi.org/10.1109/16.557719
https://doi.org/10.1109/16.557719
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:521-524
As gate oxides become thinner, in conjunction with scaling of MOS technologies, a discrepancy arises between the gate oxide capacitance and the total gate capacitance, due to the increasing importance of the carrier distributions in the silicon and p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1fd6592146ec6b1f2f45ff5dce7f7fe9
https://doi.org/10.1109/55.541768
https://doi.org/10.1109/55.541768
Autor:
J.D. Bude, I.C. Kizilyalli
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1083-1091
In this paper hot carrier related aging of n-p-n bipolar transistors is investigated experimentally and theoretically in order to bring physical insight into the bipolar h/sub FE/ (common emitter current gain) degradation. Electrical stress experimen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52b9118c2c6b355ce6117c40b2ff7c45
https://doi.org/10.1109/16.293334
https://doi.org/10.1109/16.293334