Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"J.D. Bernstein"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. 85:56-59
Hydrogen plasma ion implantation (PII) is capable of higher dose rates than conventional hydrogen plasma treatments. As dose rates increase charging and etching effects become important and can have significant influence on the maximum dose and the p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::383ebe1e593efd53db6a417009328208
https://doi.org/10.1016/0257-8972(96)02887-3
https://doi.org/10.1016/0257-8972(96)02887-3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martin L. Green, A.S. Denholm, J. Shao, Fernanda Chiarello Stedile, Israel Jacob Rabin Baumvol, Cristiano Krug, J.D. Bernstein, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, P.L. Kellerman
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
A method is proposed to prepare ultrathin silicon oxynitride films for gate dielectrics used in deep submicron metal–oxide–semiconductor field effect transistor device structures, namely plasma immersion N implantation into SiO2 films. Plasma imm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::88e034b952d429d0ef156f5baa53590b
https://doi.org/10.1063/1.123374
https://doi.org/10.1063/1.123374
Publikováno v:
2003 5th International Conference on ASIC. Proceedings (IEEE Cat. No.03TH8690).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e39739a0c8427eb4569e821fb1f4844
https://doi.org/10.1109/issm.2003.1243268
https://doi.org/10.1109/issm.2003.1243268