Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.C. Ondrusek"'
Autor:
Tz-Cheng Chiu, Tom Bonifield, M.K. Jain, J.A. Rosal, J.C. Ondrusek, K.J. Dickerson, William R. McKee, Joe W. McPherson, L.Y. Tsung, E.T. Ogawa
Publikováno v:
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320).
Stress-induced voiding is observed in Cu-based, deep-submicron, dual-damascene technologies where voids are formed under the via when the via connects to a wide metal lead below it. The voiding results from the supersaturation of vacancies that devel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e7e9473160bcf16edfe33dc6e56a8328
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996654
https://doi.org/10.1109/relphy.2002.996654
Autor:
T. Sugiura, H.H. Hoang, R. Blumenthal, J.C. Ondrusek, A. Nishimura, J.W. McPherson, H. Kitagawa
Publikováno v:
26th Annual Proceedings Reliability Physics Symposium 1988.
Electromigration (EM) in Ti:W/Al-1%Si two-layered and Ti/W/Al-1%Si three-layered metallizations was investigated. The activation energy and the EM performance were studied as functions of the change in resistance which results from EM damage. The eff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::869790b9c70e42b5ed665d57fb54858c
https://doi.org/10.1109/relphy.1988.23447
https://doi.org/10.1109/relphy.1988.23447
Autor:
Adin E. Hyslop, Joe W. McPherson, E.B. Smith, V.C. Huynh, R.A. Coy, Hugh P. McAdams, William R. McKee, N.Q. Nguyen, T.J. Aton, J.W. Janzen, D.E. Russell, D.W. Bergman, L.W. Block, J.C. Ondrusek
Publikováno v:
Proceedings of International Reliability Physics Symposium RELPHY-96.
The system soft error rate (SSER) of 4M/16M DRAMs has been shown to be dependent on the cosmic ray neutron flux. A simple model and accelerated soft error rate (ASER) measurements made with an intense, high energy neutron beam support this result. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::694920098487393a2e36df30a9b0d238
https://doi.org/10.1109/relphy.1996.492052
https://doi.org/10.1109/relphy.1996.492052
Publikováno v:
28th International Reliability Physics Symposium.
Al alloys, including Al-Si(1%) and Al-Cu(2%), are investigated. The electromigration test results indicate that the rough surface texture of the underlying chemical vapor deposition (CVD)-W layer degrades the electromigration performance of the Al-Si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::920e316af0ca6665243bd67e4e0098bf
https://doi.org/10.1109/irps.1990.363496
https://doi.org/10.1109/irps.1990.363496
Publikováno v:
25th International Reliability Physics Symposium.
The failure kinetics for both titanium silicided and non-silicided contacts are discussed for Al-Si (1%) metallization. The activation energies for accumulation of silicon in silicided and non-silicided contacts as well as the depletion of silicon fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b38679b6642288ddc211e1be2259b67
https://doi.org/10.1109/irps.1987.362172
https://doi.org/10.1109/irps.1987.362172
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.