Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J.C. McAlexander"'
Publikováno v:
1979 International Electron Devices Meeting.
A high performance state-of-the-art single supply 16K × 1 NMOS dynamic RAM was designed and fabricated using a grounded substrate and employing an evolutionary semiempirical short channel transistor model. The semiempirical device model is compatibl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e9437e65de1e429e9fb7655c90f011ff
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189624
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189624
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.