Zobrazeno 1 - 10 of 43 pro vyhledávání: '"J.C. Barbe"'
1
Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas
Autor: J.-F. Damlencourt, P. Brianceau, S. Bernasconi, D. Bensahel, T. Billon, N. Dechoux, C. Vallee, V. Benevent, J.C. Barbe, P. Rivallin
Publikováno v: Thin Solid Films
Thin Solid Films, Elsevier, 2010, 518, pp.S92-S95
Thin Solid Films, 2010, 518, pp.S92-S95
We have studied the oxidation of embedded SiGe mesas on SOI in order to co-integrate planar high Ge enriched mesas and Si mesas in the same wafer. We show that oxidation of such structure by local Ge condensation technique leads to non-uniform areas
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cb1d15adf74cbb424e88992b34005ed2
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00669421
Zobrazit plný text záznamu
2
Undulation of sub-100 nm porous dielectric structures: A mechanical analysis
Autor: Joaquim Torres, S. Maitrejean, Maxime Darnon, T. Chevolleau, J.C. Barbe, Olivier Joubert
Publikováno v: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2007, pp.91
Applied Physics Letters, 2007, pp.91
In microelectronics technologies, patterning of sub-100nm width ridges capped with a titanium nitride mask can lead to undulations of the ridges detrimental to performances. This phenomenon is observed with highly compressive residual stress into the
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::60099f9216b6ce751914a9132b46c9af
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00397092
Zobrazit plný text záznamu
3
Dielectric Conduction Mechanisms of Advanced Interconnects: Evidence for Thermally- Induced 3D /2 D Transition
Autor: Lucile Arnaud, Joaquim Torres, C. Guedj, J.C. Barbe, N. Claret, G. Reimbold, F. Boulanger, J.P. Barnes, Gérard Passemard, M. Aimadeddine, Vincent Arnal
Publikováno v: 2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings.
Electrical, electro-optical, mechanical and microstructural characterizations explain why the leakage currents in advanced Cu/ultra-low K interconnects can change from bulk (3D) to mostly interfacial (2D) above 150degC. A physical model consistent wi
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f4c42af6f928118762b779868ada267
https://doi.org/10.1109/relphy.2006.251269
Zobrazit plný text záznamu
6
25nm Short and Narrow Strained FDSOI with TiN/HfO2 Gate Stack
Autor: S. Deleonibus, C. Mazure, P. Gaud, H. Grampeix, J.P. Colonna, B. Previtali, H. Dansas, D. Lafond, C. Jahan, C. Fenouillet-Beranger, T. Ernst, S. Denorme, A. Vandooren, J. Cluzel, J.C. Barbe, F. Allain, L. Brevard, I. Cayrefoureq, B. Ghyselen, M. Casse, E. Rouchouze, C. Buj, L. Tosti, O. Faynot, F. Rochette, C. Dupre, F. Andrieu
Publikováno v: 2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers..
We investigate for the first time the experimental performance of strained silicon directly on insulator (sSOI) for short and narrow FDSOI NMOS transistors integrated with a TiN/HfO2 gate stack. A +16% drive current improvement is reported for a 25nm
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62bed6bc9a7a88be473339fcacef0d34
https://doi.org/10.1109/vlsit.2006.1705253
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje