Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.A.M. Otten"'
Autor:
S. K. Jones, D. B. M. Klaassen, M. C. Vecchi, Wim Schoenmaker, J. G. Metcalfe, Kevin G. McCarthy, Alan Mathewson, A. De Keersgieter, J.A.M. Otten, A. v. Schwerin, M. Rudan
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 34:67-84
A number of activities recently carried out within Theme 4.2 — Device modeling — of Project ADEQUAT are selected and described here. Apart from illustrating the technical work in itself, the aim of the paper is also that of showing the cooperativ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b02fa335123a76ab33f00fa9be766b1d
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00017-2
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00017-2
Autor:
J.A.M. Otten, F.M. Klaassen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 43(9), 1478-1488. Institute of Electrical and Electronics Engineers
A new measurement method is explained for the extraction of the source and drain series resistance of drain engineered MOSFETs from their low frequency ac characteristics as a function of gate and drain bias using only one single MOSFET. Experimental
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eb6da31b573ad9860607e394104a8812
https://doi.org/10.1109/16.535338
https://doi.org/10.1109/16.535338
Publikováno v:
The Annals of Thoracic Surgery. 56:300-304
Of 111 patients with non-small cell lung cancer without clinically evident N2 disease 95 underwent mediastinoscopy between 1975 and 1985. In 63 cases mediastinoscopy was positive and in 32 negative. The patients with a positive mediastinoscopy were c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52c6e2ae70cff672180913a174a786b2
https://doi.org/10.1016/0003-4975(93)91164-i
https://doi.org/10.1016/0003-4975(93)91164-i
Autor:
F.M. Klaassen, J.A.M. Otten
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 19:703-706
Though already much attention was paid to the gate-voltage dependence of the MOSFET series resistance [1] the behaviour of the drain series resistance as a function of drain bias could not be measured until now. In this paper a general measurement pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5e25b920594251e4fb7753ac64469f7
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90526-w
https://doi.org/10.1016/0167-9317(92)90526-w
Autor:
J.A.M. Otten, F.M. Klaassen
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 15:555-558
In short channel MOSFETs the effects of series resistance become increasingly important. In this paper the limitations of two existing series resistance measurement methods [1,2] will be discussed. Because of their limitations a new measurement metho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::55bbfa5c269d9544129fdeeb12577d2e
https://doi.org/10.1016/0167-9317(91)90283-j
https://doi.org/10.1016/0167-9317(91)90283-j
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.