Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"J.A. Zolnier"'
Publikováno v:
1998 Fourth International High Temperature Electronics Conference. HITEC (Cat. No.98EX145).
A high-temperature lateral power MOS field-effect transistor on silicon-on-insulator (SOI) material has been demonstrated to operate up to at least 300/spl deg/C. This device is targeted initially for high-temperature applications such as engine cont
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::978a7c69ffec8ac2c17e1feecd2dfe67
https://doi.org/10.1109/hitec.1998.676789
https://doi.org/10.1109/hitec.1998.676789
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.