Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"J.A. Swiderski"'
Autor:
D.P. Favreau, A. Kornblit, Steven James Hillenius, J.A. Swiderski, M.-L. Chen, W. Juengling, W.S. Lindenberger, T.S. Yang
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices.
A nitride-sealed L-shaped Si spacer technique is used to form inverse-T gate sub-half micron N- and P-LDD (lightly doped drain) device structures with self-aligned Ti silicided gate and source-drain. The advantage of the L-shaped Si spacer N-LDD devi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b392193c9eba22edb3d47d1aeb4ce998
https://doi.org/10.1109/iedm.1990.237034
https://doi.org/10.1109/iedm.1990.237034
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.