Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"J.A. Mandelman"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
U. Gruening, C.J. Radens, J.A. Mandelman, A. Michaelis, M. Seitz, N. Arnold, D. Lea, D. Casarotto, A. Knorr, S. Halle, T.H. Ivers, L. Economikos, S. Kudelka, S. Rahn, H. Tews, H. Lee, R. Divakaruni, J.J. Welser, T. Furukawa, T.S. Kanarsky, J. Alsmeier, G.B. Bronner
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318).
Results are presented for a novel trench capacitor DRAM cell using a vertical access transistor along the storage trench sidewall which effectively decouples the gate length from the lithographic groundrule. A unique feature of this cell is the verti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78b60a5c95ca93bbb52f7c456656a1bb
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823838
https://doi.org/10.1109/iedm.1999.823838
Autor:
J.A. Mandelman, J. Alsmeier
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 15:496-498
An anomalous threshold voltage dependence on channel width measured on 0.25 /spl mu/m groundrule trench-isolated buried-channel p-MOSFET's is reported here. As the channel width is reduced, the magnitude of the threshold voltage first decreases befor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9a62fe371c58af9ce708d3397d467cd9
https://doi.org/10.1109/55.338415
https://doi.org/10.1109/55.338415
Autor:
H.L. Kalter, John K. DeBrosse, J.E. Barth, Hussein I. Hanafi, J.A. Mandelman, J. Gautier, R.H. Dennard
Publikováno v:
1996 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Summary form only given. As operating voltages are reduced it becomes increasingly challenging to write a usable signal into the DRAM storage capacitor because of the nonscalability of threshold voltage, due to the limiting effects of subthreshold sl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::23e241f072e75c2d9d9dd55cf6be1ad3
https://doi.org/10.1109/soi.1996.552531
https://doi.org/10.1109/soi.1996.552531
Autor:
J.P. Kasold, J.A. Mandelman
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 28:1216-1217
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::968e9412bfd33835cc9a9d346d14e108
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20527
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20527
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.