Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"J.-Y. Chi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Zhonghua er bi yan hou tou jing wai ke za zhi = Chinese journal of otorhinolaryngology head and neck surgery. 57(5)
Publikováno v:
European review for medical and pharmacological sciences. 26(8)
This study was carried out to explore the clinical features and risk factors of pulmonary tuberculosis complicated with pulmonary aspergillosis.Through a retrospective analysis of 3,000 patients with pulmonary tuberculosis history or active pulmonary
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. S. Mikhrin, J. Y. Chi, G. Lee, A. G. Kuzmenkov, S. A. Blokhin, Nikolai N. Ledentsov, Innokenty I. Novikov, Mikhail V. Maximov, A. V. Sakharov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, Nikolai A. Maleev, V. M. Ustinov, A. R. Kovsh
Publikováno v:
Semiconductors. 40:1232-1236
Temperature dependence of the threshold current for VCSELs based on submonolayer InGaAs QDs is studied experimentally. It is shown that detuning between the lasing wavelength and the gain spectrum peak must be used for a correct description of the te
Autor:
A. R. Kovsh, J. Y. Chi, Mikhail V. Maximov, L. Ya. Karachinsky, V. M. Ustinov, R. S. Hsiao, Nikolai N. Ledentsov, N. Yu. Gordeev, Jyh-Shyang Wang, Innokenty I. Novikov
Publikováno v:
Semiconductors. 38:727-731
Light-current, spectral, and far-field characteristics of InGaAsN injection lasers on GaAs substrates were studied in a wide temperature range (77–300 K) at various driving current densities. The increase in indium content in InGaAsN solid solution