Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"J.-W. Erben"'
Autor:
Christian Wenzel, Johann W. Bartha, D. Zeidler, Thomas Gessner, Stefan E. Schulz, Andreas Bertz, J.-W. Erben, Matthias Uhlig
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 70:314-319
The integration of ultra low k materials in copper damascene architecture is one of the main issues in finding microelectronic-process-compatible dielectric materials. The aim of this paper is to show the integration conformity with common equipment
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb7a36ab1b1e66719cef2d2e10d159e6
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00415-5
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(03)00415-5
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 116:735-743
Thin polycrystalline CaF2-layers deposited on silicon are exposed to 60 keV He+-, Ar+-, Si+-, and 30 keV O+-ions. Modifications in film composition are measured by RHEED and RBS. Positive and negative resist behaviour is observed in water and dilute
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0120e32c7366965ad7b33aeee7f23077
https://doi.org/10.1002/pssa.2211160234
https://doi.org/10.1002/pssa.2211160234
Autor:
R. Kögler, A. Wolf, J.-W. Erben, C. Hamann, J. Matthai, M. Heber, M. Voelskov, R. Klabes, W. Wieser, C. Weissmantel, W. Scharff
Publikováno v:
Thin Solid Films. 113:327-335
The growth of device-worthy silicon crystals on insulating substrates would offer a new type of semiconductor technology. Lateral epitaxial growth is demonstrated for several types of structures using island configurations of silicon deposited either
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8db809c0acf231784ed70ab0204e6ac
https://doi.org/10.1016/0040-6090(84)90472-3
https://doi.org/10.1016/0040-6090(84)90472-3
Publikováno v:
Physica Status Solidi (a). 82:K121-K123
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7aab90d3bddcd48b34412c976a09f9ae
https://doi.org/10.1002/pssa.2210820234
https://doi.org/10.1002/pssa.2210820234
Publikováno v:
Soviet Journal of Quantum Electronics. 17:110-112
An investigation was made of the characteristics of switching and photosensitivity of a reusable optoelectronic storage medium based on planar metal–insulator–semiconductor–insulator–metal structures. Estimates indicate that data can be store
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab376ab72d9aae13a8c756e1c539e739
https://doi.org/10.1070/qe1987v017n01abeh006452
https://doi.org/10.1070/qe1987v017n01abeh006452
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.