Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J.-P. Viaud"'
Autor:
Didier Floriot, H. Jung, Jan Grünenpütt, V. Di Giacomo-Brunel, Daniel Sommer, E. Byk, Hervé Blanck, P. Fellon, Marc Camiade, Benoit Lambert, J.-P. Viaud, Christophe Chang, G. Mouginot
Publikováno v:
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC).
This paper describes the main characteristics of the new GaN-on-SiC technology in development at UMS. This technology is based on a $0.15 - \mu \mathrm{m}$ gate-length and it is in the phase of industrial qualification for a target release by the end
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5f627b3a1012dc30c679ec32232d6a6
https://doi.org/10.23919/eumic.2018.8539905
https://doi.org/10.23919/eumic.2018.8539905
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 6:132-134
A very high 90% power-added efficiency (PAE) with an output power (P/sub out/) of 200 mW and a power gain of 18 dB has been achieved at 1.8 GHz with a 240-/spl mu/m/sup 2/ GaInP/GaAs HBT (Thomson-CSF/LCR). The transistor (common emitter) was biased i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78b98e2e349fcb9479bcf302dc2f493d
https://doi.org/10.1109/75.481090
https://doi.org/10.1109/75.481090
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.