Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.-P. Courat"'
Publikováno v:
International Journal of Electronics. 79:47-52
A new systematic methodology to extract an equivalent circuit from S parameter measurements of any electronic device within a given frequency range is proposed. It is based on a progressive schematic pruning technique that derives from observation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c96094aab2c9be874ec49d571fc754ab
https://doi.org/10.1080/00207219508926249
https://doi.org/10.1080/00207219508926249
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Fundamental Theory and Applications. 41:790-795
A new systematic methodology is proposed in order to extract a simplified yet accurate equivalent schematic from S parameter measurements of electronic devices throughout a given frequency range. In this approach the two following successive processe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::877031d0948e67f812a147e8e059ff51
https://doi.org/10.1109/81.340841
https://doi.org/10.1109/81.340841
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 29:1244-1255
The characteristics of very short gate GaAs MESFET's have been studied using a particle model which takes into account the hot-electron transport phenomena, i.e., the velocity overshoot. A brief description of this model is given. A particular emphas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2c62a4e3a3b79a035fe755f198bc82dc
https://doi.org/10.1109/t-ed.1982.20863
https://doi.org/10.1109/t-ed.1982.20863
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 27:1019-1024
The evolution of the drain saturation current of the carrier concentration and of the equipotential lines in a GaAs MESFET, were studied taking into account the existence of an interfacial barrier between the active layer and the SI substrate. A bidi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1a60898ab123bc3fbdba5d430ac2c6c
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19980
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19980
Publikováno v:
International Journal of Modelling and Simulation. 1:144-148
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a9a519fdba97fb584724e19bf6a4c23
https://doi.org/10.1080/02286203.1981.11759733
https://doi.org/10.1080/02286203.1981.11759733
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.651-654. ⟨10.1051/rphysap:019780013012065100⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.651-654. ⟨10.1051/rphysap:019780013012065100⟩
The existence of a Gunn domain in the channel of a GaAs MESFET after saturation is confirmed through numerical bidimensional simulation, but the i D vs. VDS decrease is not observed. It is shown that in devices including an interfacial space charge l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::61cae44b1d414a4f8d8dfa4e223b3a20
https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012065100
https://doi.org/10.1051/rphysap:019780013012065100
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.