Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"J.-P. Cesso"'
Autor:
R. Tauk, Frederic Boeuf, Nina Dyakonova, Y. M. Meziani, Gerard Ghibaudo, A. El Fatimy, Thomas Skotnicki, Wojciech Knap, J.-P. Cesso, J. Łusakowski
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 50:632-636
Electron mobility in bulk Si n-type MOSFETs with the gate length between 30 nm and 740 nm was determined at room temperature by magnetoresistance measurements. The decrease of the mobility with the gate length was analysed within a model taking into
Autor:
T. Skotnicki, Wojciech Knap, Frederic Boeuf, N. Dyakonova, J.-P. Cesso, J. Lusakowski, Gerard Ghibaudo, R. Tauk, A. El Fatimy, Yahya Moubarak Meziani
Publikováno v:
Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005..
Room temperature magnetoresistance of nanometer bulk Si n-type MOSFETs was measured at magnetic fields up to 10 T. The electron magnetoresistance mobility was determined for transistors with the gate length in 30 nm to 1000 nm range and was shown to
Autor:
Wojciech Knap, J.-P. Cesso, Claire Fenouillet-Beranger, D. Delille, Sorin Cristoloveanu, Gerard Ghibaudo, Y. M. Meziani, J. Lusakowski, T. Skotnicki, C. Gallon, Nina Dyakonova, Frederic Teppe, Anne Vandooren
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We propose to compare the main classical methods used for mobility parameters extraction (static method or split C-V) with a new approach based on magnetoresistance (MR) measurements. We focus on short channel devices behavior and compare it with lon
Autor:
Frederic Boeuf, Gerard Ghibaudo, Yahya Moubarak Meziani, J.-P. Cesso, Nina Dyakonova, A. El Fatimy, R. Tauk, Wojciech Knap, T. Skotnicki, Jerzy Łusakowski
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 87:053507
Room-temperature magnetoresistance of nanometer bulk Si n-type metal-oxide semiconductor field-effect transistors was measured at magnetic fields up to 10 T. The electron magnetoresistance mobility was determined for transistors with the gate length
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.