Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"J.-P. Burin"'
Autor:
Olivier Durand, Sigalit Aharon, Johann Bouclé, Laurent Pedesseau, Lioz Etgar, J. P. Burin, Yong Huang, Alexandre Gheno, Sylvain Vedraine, Jacky Even, Alain Rolland
Publikováno v:
2017 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD).
Hole transport material (HTM) free and WO x based perovskite solar cells are theoretically investigated by using driftdiffusion and small signal models. The influence of interface states and leakage current is studied, and the current-voltage (J-V) a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::85ef89f7fc99c494beec0b42aafb01ae
https://doi.org/10.1109/nusod.2017.8009975
https://doi.org/10.1109/nusod.2017.8009975
Autor:
A. Le Corre, Samy Almosni, Ronan Tremblay, J.-P. Burin, Tony Rohel, Nicolas Bertru, Olivier Durand, Yoan Léger, Antoine Létoublon, Charles Cornet, T. Quinci, J.-P. Gauthier
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩
Journal of Crystal Growth, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩
International audience; In this work, we investigate the impact of growth parameters on surface morphology, doping levels and dopant activation in AlGaP epilayers grown on GaP substrate by solid source molecular beam epitaxy. Atomic Force Microscopy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::25c8909033ad14589aa793d7bb248049
https://hal.science/hal-01529569
https://hal.science/hal-01529569
Autor:
Christophe Labbé, Cyril Paranthoen, Karine Tavernier, Tony Rohel, Abdulhadi Nakkar, S. Richard, J.-P. Burin, Hervé Folliot, Charles Cornet, Slimane Loualiche, F. Thoumyre
Publikováno v:
2008 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
We present photocurrent measurements of InAs/InGaAsP quantum dots embedded in a PIN diode grown on InP(311)B substrates. From the 300 K spectrum we deduce the ground and first excited states of the dots. Their energies are consistent with photolumine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd496203242ac2927c218ea8e16ba791
https://doi.org/10.1109/iciprm.2008.4702977
https://doi.org/10.1109/iciprm.2008.4702977
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.