Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"J.-M. Chiu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. C. Liu, Ming-Sin Su, Clair Tsai, J. M. Chiu, Harry Ku, Y. F. Chen, C.H. Su, T. L. Yang, C. S. Liu, Kirin Wang, Chang-Ning Wang, Marvin Liao, Ponder Pang, Calvin Lu, Wei-Yih Wu, Rolance Yang, Steven Hsu
Publikováno v:
2019 IEEE 69th Electronic Components and Technology Conference (ECTC).
Along with the advanced technology development, the tinier polyimide opening (PIO) and bump size are required. However, it will make the bump resistance (Rc) become higher which is closely related to the chip probing (CP) performance. In addition, th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e1c01dc6ed4f5b621a47c16ddcfb6d3
https://doi.org/10.1109/ectc.2019.00182
https://doi.org/10.1109/ectc.2019.00182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. W. Pi, Yun-Yue Lin, Li-Chyong Chen, Cheong-Wei Chong, Jauyn Grace Lin, J. M. Chiu, Kuei-Hsien Chen, Y. F. Huang, M. J. Huang, H. J. Lin, H. C. Han, Y. F. Chen
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 103:211606
Modifiable resistance switching (RS) is demonstrated in devices made of La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) on heavy-doped n-type silicon nanotips (n+-SiNTs) template. The high RS ratio of 900% with low switching voltage (±2 V) and read voltage (+0.1 V) prove the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a297ab0287919267381dfb3613ab90ae
https://doi.org/10.1063/1.4833515
https://doi.org/10.1063/1.4833515
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.