Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"J.-M. Bethoux"'
Autor:
N. Daval, A. Drouin, H. Biard, L. Viravaux, D. Radisson, S. Rouchier, G. Gaudin, J. Widiez, F. Allibert, E. Rolland, K. Vladimirova, G. Gelineau, N. Troutot, C. Navone, G. Berre, D. Bosch, Y.L Leow, A. Duboust, J-M. Bethoux, R. Boulet, A. Chapelle, E. Cela, G. Lavaitte, A. Bouville-Lallart, S. Bhargava, W. Schwarzenbach, C. Maddalon, I. Radu, S. Odoul, D. Delprat, O. Bonnin, C. Maleville
Publikováno v:
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
Publikováno v:
physica status solidi c. 3:1823-1827
The effects of successive Ag depositions on AlxGa1–xN for x = 0.20 and x = 0.30 grown by metal-organo chemical vapour deposition (MOCVD) have been investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The interfacial chemistry and electron tra
Autor:
S. Dalmasso, M. Vaille, Bernard Beaumont, Pierre Gibart, H. P. D. Schenk, Mathieu Leroux, P. de Mierry, J.-M. Bethoux, Eric Feltin
Publikováno v:
physica status solidi (a). 192:335-340
A RCLED structure, composed of InGaN multi-quantum wells inserted in a 3λ GaN based micro-cavity, was grown by metalorganic vapor phase epitaxy. The bottom mirror was a GaN/AIGaN distributed Bragg reflector (DBR). The growth process was followed by
Publikováno v:
The European Physical Journal Applied Physics. 27:263-265
Due to high lattice mismatch, heterostructures of III-nitrides are subject to plastic relaxation. In this paper, we focus on the relaxation of AlGaN films grown on GaN. This relaxation is realised by cracking followed by the introduction of misfit di
Publikováno v:
2006 European Solid-State Device Research Conference; 2006, p206-209, 4p
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.