Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"J.-H. Gau"'
Autor:
Kaveh Shakeri, P. C. Shih, Y. K. Sheu, J. H. Gau, C. C. Huang, Venkatraman Prabhakar, S. H. Wu, Krishnaswamy Ramkumar, H. C. Lee, Igor G. Kouznetsov, H. M. Shih, Sam Geha, Srikanta Samanta, Sungkwon Lee, Y. Yang, Xiaojun Yu, Long T Hinh
Publikováno v:
2013 5th IEEE International Memory Workshop.
A novel low cost, eNVM technology is presented which has the lowest program/erase voltage reported to date. It is based on the integration of a SONOS based NVM module into a foundry CMOS process with only 3 additional masks and no additional HV oxide
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce0fe263cccae45b0d9173e8bc957c88
https://doi.org/10.1109/imw.2013.6582134
https://doi.org/10.1109/imw.2013.6582134
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 78:442-445
The optical properties of In0.52(AlxGa1−x)0.48As epilayers with various x values were systematically studied using variable angle spectroscopic ellipsometry in the wavelength range of 310–1700 nm. The refractive indexes were determined and could
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5eb5c1d28b3c08f31840703520dcf555
https://doi.org/10.1063/1.360624
https://doi.org/10.1063/1.360624
Publikováno v:
Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.
The optical properties of In/sub 0.52/(Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.48/As epilayers with various x values were systematically studied using variable angle spectroscopic ellipsometry in the wavelength range of 310-1700 nm. The refractive indexes were d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::07f0f6e5f939fc8b9764d890f01d5468
https://doi.org/10.1109/iciprm.1995.522125
https://doi.org/10.1109/iciprm.1995.522125
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 26:682-683
In this letter, we demonstrate a high-performance gate-assisted junction varactor. The gate plays an important role in the varactor; it can decrease the series resistance and enlarge the junction capacitance of this device. With the assistance of a p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2b932095b73ea04831e4be4f247666c
https://doi.org/10.1109/led.2005.853642
https://doi.org/10.1109/led.2005.853642
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:608-609
Differential inductors have significant advantages over single-end inductors. But the conventional differential inductors are not really symmetrical in geometry. Here, we present a novel differential inductor that is fully symmetrical in its layout.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b93dfee81d74c90f7b4695699010638a
https://doi.org/10.1109/led.2004.833594
https://doi.org/10.1109/led.2004.833594
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 38:1105-1106
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b2354dbbf52138fbc96cfa94d4e09881
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)98682-s
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)98682-s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.