Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"J.-F. Kruck"'
Autor:
B. Le-Gratiet, G. Druais, Denis Rideau, Marie-Anne Jaud, J.-D. Chapon, D. Hoguet, M. Mellier, L. Babaud, Clement Pribat, Emmanuel Josse, D. Barge, S. Puget, J. Mazurier, L. Grenouillet, Nicolas Loubet, S. Zoll, Thierry Poiroux, Jerome Simon, S.P. Fetterolf, M. Bidaud, S. Chhun, M. Vinet, Quanwei Liu, R. Bianchini, E. Bernard, J.-F. Kruck, X. Gerard, C. Gaumer, A. Pofelski, Francois Andrieu, Mustapha Rafik, Olivier Weber, N. Guillot, Pascal Gouraud, F. Abbate, O. Faynot, N. Degors, Olivier Gourhant, Antoine Cros, L. Parmigiani, E. Petitprez, J. Lacord, Patrick Scheer, C. Monget, Michel Haond, Evelyne Richard, P. Maury, Bruce B. Doris, M. Celik, Daniel Benoit, Frederic Monsieur, E. Baylac, L. Clément, S. Lagrasta, Magali Gregoire, J.-P. Manceau, S. Lasserre, P. Perreau, P. Brun, C. Gallon, V. Beugin, Remi Beneyton, Eric Perrin, S. Delmedico, R. Bingert
Publikováno v:
2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers.
This paper presents a 14nm technology designed for high speed and energy efficient applications using strain-engineered FDSOI transistors. Compared to the 28nm FDSOI technology, this 14nm FDSOI technology provides 0.55× area scaling and delivers a 3
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.