Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"J. del Agua Borniquel"'
Autor:
Kelly E Hollar, H. van Meer, Lee Jae Young, J. del Agua Borniquel, Marc Schaekers, Bastien Douhard, Lin-Lin Wang, Alexis Franquet, Naoto Horiguchi, L. Date, Hao Yu, Wolfgang R. Aderhold, Fareen Adeni Khaja, Nadine Collaert, Dan Mocuta, Abhilash J. Mayur, K. De Meyer, J.-L. Everaert, Yu-Long Jiang
Publikováno v:
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Ga diffusion and activation in Si, SWGe 0.6 and Ge are studied comprehensively. Optimal Ga activation conditions for Si 0.4 Ge 0.6 and Ge feature a low thermal budget: Ga is highly activated at 400°C in Ge and at 500°C in SWGe 0.6 using a 1min rapi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce514a906bec0d316b0f4b445aaf4c28
https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268441
https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268441
Autor:
Fareen Adeni Khaja, Marc Schaekers, H. van Meer, Hao Yu, Naoto Horiguchi, Lee Jae Young, Y.-L. Jiang, L.-L. Wang, Dan Mocuta, Kelly E Hollar, L. Date, J.-L. Everaert, Wolfgang R. Aderhold, J. del Agua Borniquel, Abhilash J. Mayur, K. De Meyer, Andriy Hikavyy
Publikováno v:
2017 Symposium on VLSI Technology.
We report record breaking values for PMOS source drain (S/D) contact resistivity, ρ c 0.4 Ge 0.6 in combination with subsequent pulsed nanosecond laser anneal (NLA). Cross section transmission electron microscopy (XTEM) shows the pc reduction mechan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::40bd1fc0d4ef187eefb870a26479b885
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998176
https://doi.org/10.23919/vlsit.2017.7998176
Autor:
Tom Schram, Dan Mocuta, Stefan Kubicek, Anda Mocuta, Naoto Horiguchi, J. del Agua Borniquel, S. A. Chew, Yuichiro Sasaki, A. V-Y. Thean, Erik Rosseel, Romain Ritzenthaler, W. Vandervorst, Benjamin Colombeau, A. Waite, Steven Demuynck, Thomas Chiarella, Min-Soo Kim, A. De Keersgieter
Publikováno v:
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology).
We compare As and P extension implants for NMOS Si bulk FinFETs with 5nm wide fins. P implanted FinFETs shows improved I ON , +15% with Room Temperature (RT) ion implantation (I/I) and +9% with hot I/I, keeping matched Short Channel Effects (SCE) for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c101c5e51fe463d15b5fe189e46d956a
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223691
https://doi.org/10.1109/vlsit.2015.7223691
Autor:
Hugo Bender, W. S. Yoo, T. Xu, C. Liu, E. Vecchio, Hilde Tielens, E. Rohr, Stephan Brus, Anabela Veloso, H. Dekkers, A. Van Ammel, Anup Phatak, S. A. Chew, Geert Eneman, J. del Agua Borniquel, Vasile Paraschiv, Lars-Ake Ragnarsson, Naoto Horiguchi, Moon Ju Cho, Katia Devriendt, Aaron Thean, Kristof Kellens, Y. Crabbe, Eddy Simoen, Tom Schram, Higuchi Yuichi, X. Shi, Kun Xu, J. Geypen, M. Allen, Farid Sebaai, Paola Favia
Publikováno v:
2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT).
We report on aggressively scaled RMG-HKL devices, with tight low-V T distributions [σ(V Tsat ) ∼ 29mV (PMOS), ∼ 49mV (NMOS) at L gate ∼35nm] achieved through controlled EWF-metal alloying for NMOS, and providing an in-depth overview of its ena
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db996fa6ccc399cb2c3ab0093ed510b3
https://doi.org/10.1109/vlsit.2012.6242447
https://doi.org/10.1109/vlsit.2012.6242447
Publikováno v:
2009 International Workshop on Junction Technology.
In this work, the impact of carbon co-implantation on ultra shallow boron - plasma - doping profiles has been investigated. C is used as a co-implant due to its highly effective mechanism of transient enhanced diffusion and junction depth reduction.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::818488cad749f9ee0ef2e0eddf50ecca
https://doi.org/10.1109/iwjt.2009.5166235
https://doi.org/10.1109/iwjt.2009.5166235
Autor:
W. Vandervorst, J. L. Everaert, E. Rosseel, M. Jurczak, T. Hoffman, P. Eyben, J. Mody, G. Zschätzsch, S. Koelling, M. Gilbert, T. Poon, J. del Agua Borniquel, M. Foad, R. Duffy, B. J. Pawlak, Edmund G. Seebauer, Susan B. Felch, Amitabh Jain, Yevgeniy V. Kondratenko
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
This article deals with the developments in the measurement and identification of conformality which is a key function in conformal doping. For this purpose this paper extensively uses SSRM to characterize the vertical/lateral junction depths, concen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::260e025ce8128d671c7b452b6a6d43b6
https://doi.org/10.1063/1.3033660
https://doi.org/10.1063/1.3033660
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.