Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"J. Tsuchimoto"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Park, M. Hayashi, R. Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, K. Hashimoto, A. Teramoto, J. Tsuchimoto
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f91fb1aa78b3262d5150393b26226df1
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.h-7-02
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.h-7-02
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::728f862481a62369d760cb593c5429f4
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-2-10
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-2-10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Kuroiwa, T. Takenaga, J. Tsuchimoto, Yasunori Tokuda, H. Takada, Y. Abe, R. Matsuda, Shuichi Ueno
Publikováno v:
IEEE Transactions on Magnetics. 43:2352-2354
We investigated the suppression of the variation of switching field Hsw by reducing magnetization M in submicron-sized magnetic tunnel junctions (MTJs) by oxidizing the surface of the CoFeB layer. Examination confirmed a reduction in the M of oxidize
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::71922af98c50ed2512c682997791864e
https://doi.org/10.1109/tmag.2007.893527
https://doi.org/10.1109/tmag.2007.893527
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 37:1800-1803
A substitutional self-aligned gate MESFET process for the half-micrometer gate GaAs IC that employs techniques of sidewall formation and precise pattern reversal using ECR (electron cyclotron resonance) CVD (chemical vapor deposition) is discussed. A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b8f549fd87ae79eeb470ca99d361eb23
https://doi.org/10.1109/16.57129
https://doi.org/10.1109/16.57129