Zobrazeno 1 - 10
of 334
pro vyhledávání: '"J. Swerts"'
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 12, Pp 125236-125236-5 (2019)
Magnetic Random Access Memory (MRAM) targeting cache memory replacement consists of high density arrays of perpendicular Magnetic Tunnel Junctions (p-MTJs). One of the key advantages to MRAM is its non-volatility, where the measurement of retention i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a81300826e3a407392c64b747f514e67
Autor:
D P Lozano, M Mongillo, X Piao, S Couet, D Wan, Y Canvel, A M Vadiraj, Ts Ivanov, J Verjauw, R Acharya, J Van Damme, F A Mohiyaddin, J Jussot, P P Gowda, A Pacco, B Raes, J Van de Vondel, I P Radu, B Govoreanu, J Swerts, A Potočnik, K De Greve
Publikováno v:
Materials for Quantum Technology, Vol 4, Iss 2, p 025801 (2024)
The performance of state-of-the-art superconducting quantum devices is currently limited by microwave dielectric loss at different interfaces. α -tantalum is a superconductor that has proven effective in reducing dielectric loss and improving device
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f667fe9bc976494d925c93275af4b5ca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. Porret, J.-L. Everaert, M. Schaekers, L.-A. Ragnarsson, A. Hikavyy, E. Rosseel, G. Rengo, R. Loo, R. Khazaka, M. Givens, X. Piao, S. Mertens, N. Heylen, H. Mertens, C. Toledo De Carvalho Cavalcante, G. Sterckx, S. Brus, A. Nalin Mehta, M. Korytov, D. Batuk, P. Favia, R. Langer, G. Pourtois, J. Swerts, E. Dentoni Litta, N. Horiguchi
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78086ce8edcc5c3d4eede696a5240455
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019501
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Mongillo, A. Potocnik, J. Verjauw, F.A. Mohiyaddin, T. Ivanov, R Acharya, X. Piao, D.Perez Lozano, D. Wan, A. Pacco, J. Jussot, L. Souriau, A. M. Vadiraj, J. Swerts, S Couet, L. Goux, B. Govoreanu, P. Iuliana, null Radu
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8c20cfbbb9c28f44c0297a18fd84af77
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720648
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.