Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"J. Sune"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Aguirre, E. Piros, L. Alff, C. Hochberger, J. Gehrunger, S. Petzold, N. Kaiser, E. Jalaguier, E. Nolot, C. Charpin-Nicolle, T. Vogel, L. Molina-Luna, J. Sune, E. Miranda
Publikováno v:
2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::300a0ecbace530768a35eca6b005afa0
https://doi.org/10.1109/nano54668.2022.9928654
https://doi.org/10.1109/nano54668.2022.9928654
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andersson, J. Sune
Publikováno v:
Ornis Scandinavica (Scandinavian Journal of Ornithology), 1972 Jan 01. 3(1), 39-43.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3676164
Autor:
Andersson, J. Sune
Publikováno v:
Ornis Scandinavica (Scandinavian Journal of Ornithology), 1971 Jan 01. 2(1), 75-79.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3676241
Autor:
Andersson, J. Sune
Publikováno v:
Ornis Scandinavica (Scandinavian Journal of Ornithology), 1973 Jan 01. 4(2), 153-156.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3676116
Autor:
Andersson, J. Sune
Publikováno v:
Oikos, 1961 Jan 01. 12(1), 126-156.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3565175
Publikováno v:
2021 IEEE 12th Latin America Symposium on Circuits and System (LASCAS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cec8c3f0d6fa3654c4a12b57227dbbcd
https://doi.org/10.1109/lascas51355.2021.9667132
https://doi.org/10.1109/lascas51355.2021.9667132
Autor:
F. L. Aguirre, E. Piros, N. Kaiser, T. Vogel, S. Petzold, J. Gehrunger, C. Hochberger, T. Oster, K. Hofmann, J. Suñé, E. Miranda, L. Alff
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-8 (2024)
Abstract In this work, the quasi-analog to discrete transition occurring in the current–voltage characteristic of oxygen engineered yttrium oxide-based resistive random-access memory (RRAM) devices is investigated in detail. In particular, the focu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6361e7ce5c9b4d6795218da7628fa6f2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.