Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"J. Stapledon"'
Autor:
P. Marshall, Jennifer A. Bardwell, B. Lamontagne, Ian G. Foulds, T.W. MacElwee, J. Stapledon, S. Rolfe, Haipeng Tang, James B. Webb
Fabrication of GaN devices presents a number of processing issues. Since the AlGaN/GaN material and sapphire substrates are transparent in the ultraviolet, light scattering can degrade the quality of the lithography. GaN and AlGaN are chemically iner
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4279a6690ae0e029744dfc40121184b6
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=7d06a0cf-9b51-437d-a088-5612a2c4931f
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=7d06a0cf-9b51-437d-a088-5612a2c4931f
Autor:
David J. Lockwood, B. T. Sullivan, H. J. Labbé, Z. H. Lu, J. Stapledon, P. D. Grant, J.-M. Baribeau
Publikováno v:
MRS Proceedings. 452
Amorphous Si/SiO2 superlattices with periodicities from 2 to 5 nm have been grown on (100) Si wafers by several different techniques: molecular beam epitaxy, magnetron sputtering, and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). With the first
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1ed162f858f6477b1a3e5779df5d9d1
https://doi.org/10.1557/proc-452-183
https://doi.org/10.1557/proc-452-183
Autor:
R. Barber, Margaret Buchanan, J. Stapledon, Mahmoud Fallahi, M. Nournia, M. Dion, Z. R. Wasilewski
Publikováno v:
Electronics Letters. 31:1581-1582
The authors demonstrate low threshold current high efficiency operation of circular-grating surface-emitting distributed Bragg reflector (CG-SE-DBR) lasers. A strained InGaAs-GaAs triple quantum well with an etch-stop layer was grown by MBE. Circular
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e0fd06c8ed6d356cdab55b66a051befe
https://doi.org/10.1049/el:19951045
https://doi.org/10.1049/el:19951045
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.