Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"J. Spitzmüller"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 66:S1025-S1029
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::77fb9599d83b2614a09b79cd2f9e2c8d
https://doi.org/10.1007/s003390051289
https://doi.org/10.1007/s003390051289
Publikováno v:
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 66:S1021-S1024
formation by chemical vapor deposition, on Si(111)-(7×7). Annealing after predominantly dissociative adsorption at room temperature, where triethoxysiloxane and ethyl groups are the main adsorbate species, leads to further decomposition with various
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5f092aa44abb1fef92536e7bd56d4809
https://doi.org/10.1007/s003390051288
https://doi.org/10.1007/s003390051288
Publikováno v:
Surface Science. 400:356-366
We report results of a scanning tunneling microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy study on the interaction of tetraethoxysilane (TEOS), a precursor for chemical vapor deposition of silicon dioxide, with Si(111)-(7×7) at room temperature. Und
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0cbe962628cb547e2990948ed9bc5055
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00892-3
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00892-3
Publikováno v:
Surface Science. :1001-1005
The Si(100)-(2 × 1) surface is studied after interaction with SiH 4 under UHV-CVD conditions between 550 and 690 K with high-resolution scanning tunneling microscopy. In this temperature region, new metastable cross-shaped structural tetramer units
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86b02b2f7b9df511d965fa5628d19d16
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(96)01534-8
https://doi.org/10.1016/s0039-6028(96)01534-8
Publikováno v:
Physical Review B. 55:4659-4664
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d0714c5cb933cc2fc2ca3e10aff8c056
https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4659
https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4659
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 14:1499-1504
We have studied the interaction of SiH4 with Si(100)2×1 and with Si(111)7×7 utilizing scanning tunneling microscopy. At 690 K Si deposition does not saturate, but the reactive sticking coefficient is considerably larger for Si(100)2×1. On this sur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e0496daa8a91e041ac2d60b7581b82a3
https://doi.org/10.1116/1.579976
https://doi.org/10.1116/1.579976
Publikováno v:
Physical Review B. 63
We have studied the kinetics of nucleation and growth during $\mathrm{S}\mathrm{i}/\mathrm{S}\mathrm{i}(100)\ensuremath{-}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$ homoepitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition from ${\mathrm{SiH}}_{4},$ emp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5cf721beadafbd7c714265f9c6d1985d
https://doi.org/10.1103/physrevb.63.041302
https://doi.org/10.1103/physrevb.63.041302