Zobrazeno 1 - 10
of 492
pro vyhledávání: '"J. Spalek"'
Autor:
Illia Dobryden, Vladimir V. Korolkov, Vincent Lemaur, Matthew Waldrip, Hio-Ieng Un, Dimitrios Simatos, Leszek J. Spalek, Oana D. Jurchescu, Yoann Olivier, Per M. Claesson, Deepak Venkateshvaran
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 13, Iss 1, Pp 1-11 (2022)
Organic polymer nanomechanics has been explored through precise nanometre-scale stiffness measurements in a high-mobility semiconducting polymer. Higher eigen-mode atomic force microscopy is used to measure nanomechnical variations in the film textur
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3aac4fa7582d4c4b9e4c5dbb2215a9de
Autor:
D. Simatos, L. J. Spalek, U. Kraft, M. Nikolka, X. Jiao, C. R. McNeill, D. Venkateshvaran, H. Sirringhaus
Publikováno v:
APL Materials, Vol 9, Iss 4, Pp 041113-041113-7 (2021)
Bias stress degradation in conjugated polymer field effect transistors is a fundamental problem in disordered materials and can be traced back to interactions of the material with environmental species [H. Sirringhaus, Adv. Mater. 21, 3859–3873 (20
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06177b4ec82e443baa3eedd026e67aa0
Publikováno v:
Supportive Care in Cancer. 30:8501-8509
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a4b556b1492bf09e46475f1e204d98f2
https://doi.org/10.1007/s00520-022-07137-9
https://doi.org/10.1007/s00520-022-07137-9
Autor:
William A. Wood, Ian E. Jacobs, Leszek J. Spalek, Yuxuan Huang, Chen Chen, Xinglong Ren, Henning Sirringhaus
Hall effect measurements in doped polymer semiconductors are widely reported, but are difficult to interpret due to screening of Hall voltages by carriers undergoing incoherent transport. Here, we propose a refined analysis for such Hall measurements
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc9b962b884c17f64c7c09532f1cd3cf
http://arxiv.org/abs/2303.14053
http://arxiv.org/abs/2303.14053
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ian E. Jacobs, Gabriele D’Avino, Vincent Lemaur, Yue Lin, Yuxuan Huang, Chen Chen, Thomas F. Harrelson, William Wood, Leszek J. Spalek, Tarig Mustafa, Christopher A. O’Keefe, Xinglong Ren, Dimitrios Simatos, Dion Tjhe, Martin Statz, Joseph W. Strzalka, Jin-Kyun Lee, Iain McCulloch, Simone Fratini, David Beljonne, Henning Sirringhaus
Doped organic semiconductors are critical to emerging device applications, including thermoelectrics, bioelectronics, and neuromorphic computing devices. It is commonly assumed that low conductivities in these materials result primarily from charge t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d36feb981387e926b91129a24caacc88
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/333609
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/333609
Autor:
Christopher R. McNeill, Henning Sirringhaus, L. J. Spalek, Ulrike Kraft, Xuechen Jiao, Mark Nikolka, Deepak Venkateshvaran, Dimitrios Simatos
Publikováno v:
APL Materials, Vol 9, Iss 4, Pp 041113-041113-7 (2021)
Bias stress degradation in conjugated polymer field-effect transistors is a fundamental problem in these disordered materials and can be traced back to interactions of the material with environmental species,1,2,3 as well as fabrication-induced defec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9d2105a3e9ac1c4846a99a6876b5d8fb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.