Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"J. Shykorjak"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 12, Iss 1, Pp 1-7 (2017)
Abstract Changes in conductivity of irradiated and non-irradiated p-Si mono-crystals under the influence of elastic uniaxial mechanical stress were investigated in this paper. An analytical expression was suggested to describe the dependence of surfa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae8ac1c013db4785a478faefca9b8bd3
Publikováno v:
Applied Nanoscience. 10:4767-4772
Monocrystals of p-Si were used to study the changes in the electrical conductivity of silicon in the course of the action of a single-acting elastic load and X-radiation. An equation describing the dependence of the surface conductivity of irradiated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3b3886b592ee10f0d800c69d57c3d30
https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
Publikováno v:
Electronics and Information Technologies. 18
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c56e5a852f748a4bde5fd185bcd62185
https://doi.org/10.30970/eli.18.5
https://doi.org/10.30970/eli.18.5
FEATURES OF MECHANICALLY STIMULATED CHANGES IN ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF X-IRRADIATED P-Si CRYSTALS
Publikováno v:
Electronics and Information Technologies. 14
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c879b2e54d09d53f350d91fd356ccb25
https://doi.org/10.30970/eli.14.8
https://doi.org/10.30970/eli.14.8
Publikováno v:
Journal of Physical Studies. 24
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::902c8e089d324e96265ea55bab44f080
https://doi.org/10.30970/jps.24.3702
https://doi.org/10.30970/jps.24.3702
Effect of elastic deformation and the magnetic field on the electrical conductivity of p-Si crystals
Publikováno v:
Applied Nanoscience. 8:885-890
It is shown that at a deformation rate of 0.41 kg/min, the characteristic feature of the dependence of the surface resistance of the p-Si sample on the magnitude of its elastic deformation (R(σ)) is the reduction of the resistance during compression
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::303560293ef098931cad61a39c39edae
https://doi.org/10.1007/s13204-018-0707-y
https://doi.org/10.1007/s13204-018-0707-y
Publikováno v:
Semiconductors. 49:625-629
Changes in the conductivity of p-Si single-crystals irradiated at room temperature during their mechanical compression and stress relief are studied. It is shown that irradiation is accompanied by the generation of point defects in silicon, which pla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::decf0cf0c8911bad45b32fbe7555a4db
https://doi.org/10.1134/s1063782615050206
https://doi.org/10.1134/s1063782615050206
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.