Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J. Selbee"'
Autor:
J. Abdou, M. CdeBaca, Bruce M. Green, M. Miller, Haldane S. Henry, C-L. Liu, Darrell G. Hill, Olin L. Hartin, Charles E. Weitzel, Karen E. Moore, F. Clayton, J. Selbee
Publikováno v:
2008 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
This report presents the DC, pulsed I–V, small signal, and large signal characteristics of Freescale’s 48 V GaN HFET technology. Characterization of large signal performance for a 12.6 mm at 48V drain bias shows 89 W output power with an associat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4d74d5a7283e2c0a9a7b257a81403383
https://doi.org/10.1109/mwsym.2008.4632916
https://doi.org/10.1109/mwsym.2008.4632916
Autor:
J. Abdou, M. Miller, R. Lawrence, Haldane S. Henry, Bruce M. Green, J. Selbee, Karen E. Moore
Publikováno v:
2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
This report presents a GaN HFET technology for wireless infrastructure applications. Using an optimized process, low DC-RF dispersion is seen via pulsed I-V measurements. At a drain bias of 48 V and frequency of 2.14 GHz, devices with 0.3 mm gate per
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf0da6ec52a613c17f05467466a234df
https://doi.org/10.1109/mwsym.2006.249731
https://doi.org/10.1109/mwsym.2006.249731
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.