Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"J. Schoiswohl"'
Publikováno v:
Animal - science proceedings. 14:210-211
Publikováno v:
Schweiz Arch Tierheilkd. 162:771-780
INTRODUCTION Polyarthritis caused by Erysipelothrix rhusiopathiae is a well-known disease in pigs, and ovine erysipelas infection also commonly affects two-to-six month-old lambs. This report describes case histories of three sheep flocks where lambs
Publikováno v:
Animal - science proceedings. 14:208
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Schweiz Arch Tierheilkd. 161:677-688
Contracture of the flexor tendons (CFT) is very common in calves and it is usually diagnosed within the first few days after birth (congenital flexural deformity). However, CFT can appear even in older calves caused by chronic pain. The aetiology of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Topics in Catalysis. 46:231-238
The formation and the reactivity of V-oxide/Rh(111) inverse catalyst surfaces has been investigated by reflection absorption infra red spectroscopy (RAIRS), varaiable-temperature scanning tunneling microscopy (VT-STM) and thermal programed desorption
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 111:10503-10507
The growth of vanadium oxide monolayer films on a vicinal Rh(111) surface has been examined by scanning tunneling microscopy, low-energy electron diffraction, and X-ray photoelectron spectroscopy to determine the role of substrate steps on the oxide
Autor:
Walter Rieger, Oliver Häberlen, Martin Pölzl, Maximilian Rösch, Gerhard Nöbauer, S. Leomant, J. Schoiswohl
Publikováno v:
2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD).
A novel 25V silicon trench power MOSFET optimized for fast and high efficient switching with record Ron∗Qg and Ron∗Qoss figure-of-merits is reported. A dual channel structure with two different gate oxide thicknesses allows reducing the body diod