Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"J. S. Rho"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiaobo Yin, J. S. Rho, Haim Suchowski, Boubacar Kante, Xiang Zhang, Alessandro Salandrino, Kevin O'Brien
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Nonlinear emission from plasmonic nanostructures is studied by measuring the second harmonic and third harmonic emission as a function of geometry. An overlap integral and mode-matching considerations accurately predict the optimal geometry.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::85572b490cd7073301c031ed68152d59
https://doi.org/10.1364/cleo_qels.2013.qtu2b.3
https://doi.org/10.1364/cleo_qels.2013.qtu2b.3
Autor:
Y.-H. Seo, Sung-Woong Chung, G.-J. Park, J.-S. Rho, Hyun Mi Hwang, Adrian E. Ong, Ju-Rak Kim, Jung-Lae Park, Mun-Haeng Lee, Suk-Chul Kim, D.-H. Jung, K.-M. Rho, Vladimir Nikitin, Sung-Hyuk Cho, J.-G. Jeong, Sung-Hyung Park, Juyeab Lee, Suock Chung, H.-J. Suh, X. Tang, Dojin Kim, Y.-B. An, A. Driskill-Smith, Yong-ki Kim, Sang-Min Hwang, Jaeyun Yi, Sung-Buk Lee, Hong-Gi Kim, S. J. Hong, Gyu-An Jin
Publikováno v:
2010 International Electron Devices Meeting.
A compact STT(Spin-Transfer Torque)-RAM with a 14F2 cell was integrated using modified DRAM processes at the 54nm technology node. The basic switching performance (R-H and R-V) of the MTJs and current drivability of the access transistors were charac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48937707bcf5efd233103a984a18c72e
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703351
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703351
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.