Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"J. Ruglovsky"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 86:1662-1664
Combinatorial methodology is used to rapidly screen suitable ternary [email protected] dielectrics for future complementary metal oxide semiconductor (CMOS), and dynamic random access memory (DRAM) devices. Dielectric constant (@k) and leakage curren
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f922cc4d36aa21540fb8ea60a653740e
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.068
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.068
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.