Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J. Rembetski"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:91-93
The oxide damage resulting from exposure to a plasma environment in four different dry-etch tools was investigated using both hot-carrier injection (HCI) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB). A strong correlation was observed between hot-ca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.