Zobrazeno 1 - 10
of 48
pro vyhledávání: '"J. Rembetski"'
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 14:91-93
The oxide damage resulting from exposure to a plasma environment in four different dry-etch tools was investigated using both hot-carrier injection (HCI) and time-dependent dielectric breakdown (TDDB). A strong correlation was observed between hot-ca
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1be2dc95dd8c0378d51618f90062c58d
https://doi.org/10.1109/55.215118
https://doi.org/10.1109/55.215118
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Quantum Science & Technology; Jul2021, Vol. 6 Issue 3, p1-14, 14p
Publikováno v:
Applied Physics B: Lasers & Optics. 2001, Vol. 72 Issue 2, p227. 4p.
Autor:
Oh, Jeong-Hoon, Lee, Y.H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/15/1997, Vol. 82 Issue 12, p6203, 6p, 1 Chart, 17 Graphs
Autor:
Trabzon, L., Awadelkarim, O.O.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2/1/1997, Vol. 81 Issue 3, p1575, 6p, 7 Graphs
Publikováno v:
Solid State Technology. May96 Supplement, Vol. 39 Issue 5, pS2. 6p.
Publikováno v:
Solid State Technology. Dec95, Vol. 38 Issue 12, p128. 4p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.