Pyroelectric and photovoltaic properties of Nb-doped PZT thin films

Autor: A. Berenov, P. Petrov, B. Moffat, J. Phair, L. Allers, R. W. Whatmore

Publikováno v: APL Materials, Vol 9, Iss 4, Pp 041108-041108-11 (2021)

Nb-doped lead zirconate titanate (PZT) films with up to 12 at. % of Nb were co-sputtered from oxide PZT and metallic Nb targets at a substrate temperature of 600 °C. Up to 4 at. % of Nb was doped into the perovskite structure with the formation of B

Externí odkaz: https://doaj.org/article/79f29aceb6494efc8f8f0873a6b86bd8

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Parametric study of pulsed laser deposited (PLD) WSe2 2D transistors

Autor: S.C. Mbisike, Sanghan Lee, J. Phair, Sehun Seo, Rebecca Cheung

Publikováno v: Mbisike, S C, Seo, S, Lee, S, Phair, J & Cheung, R 2020, ' Parametric study of pulsed laser deposited (PLD) WSe 2 2D transistors ', Microelectronic Engineering, vol. 230, 111368 . https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111368

A fabrication process for making large area transistors on pulsed laser deposited (PLD) WSe2 has been developed. Large films of WSe2 have been deposited via PLD technique on SiO2/Si substrate. Employing a mask-less lithography technique and using vap

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::afe6594ffbe90206359b4ccef17a50c1
https://hdl.handle.net/20.500.11820/88944acd-7160-4231-99e0-d4712a87139c

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.