Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"J. P. Prigent"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 51:1129-1134
In this paper, we present recent results on an SiC MESFET and we describe two of the main limitation mechanisms encountered: the self-heating and the trapping effects. Results on recent MESFET devices processed by THALES Research and Technology (TRT)
Publikováno v:
Microwave and Optical Technology Letters. 23:16-18
Several silicon carbide MESFETs were processed and measured. The static, small-signal, and load-pull measurements of three of them are presented. The broadband power amplification in the UHF band and in class A was studied. An amplifier using a silic
Autor:
B. Darges, Farid Temcamani, Olivier Noblanc, C. Brylinski, P. Bannelier, J. P. Prigent, P. Pouvil
Publikováno v:
2001 IEEE MTT-S International Microwave Sympsoium Digest (Cat. No.01CH37157).
We present DC, small signal and power characterization of recent Thomson silicon carbide MESFETs. We present also performances of SiC power amplifiers designed for use in broadcast digital television. A comparison with a LDMOS amplifier showed that S
Autor:
P, Chevaillier, J P, Prigent
Publikováno v:
Comptes rendus hebdomadaires des seances de l'Academie des sciences. Serie D: Sciences naturelles. 269(12)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.