Zobrazeno 1 - 10
of 178
pro vyhledávání: '"J. P. Couderc"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal de Physique IV (Proceedings). 12:37-44
APCVD of boro-phospho silicate glass from mixtures of TEOS, TMB and TMP i has been analysed then modelled in a continuous reactor. A reduced chemical mechanism has been developed and the corresponding rate constants have been identified. The first re
Autor:
Mohamed Yousfi, H. Meyer, Ralf Schulz, K. Radouane, J. P. Couderc, Eckart Klusmann, J. Schulze, Bernard Despax
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 90:4346-4354
A self-consistent two-dimensional particle model coupled to the external circuit equations was developed in an asymmetrical configuration for the self-bias voltage calculation and the reactor design study. An intermediate modeling was performed in on
Publikováno v:
Le Journal de Physique IV. 11:Pr3-189
A kinetic model for description of the process of silicon film formation on silica by thermal decomposition of silane at reduced pressure has been proposed. The model is based on the concept of kinetic interdependence between heterogeneous catalytic
Publikováno v:
Le Journal de Physique IV. 11:Pr3-149
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. :1042-1048
In-situ diagnostic measurements and reactor modeling have been used to study N 2 O dissociation by r.f. discharges. Measurements have been conducted at I Torr (i.e. 133.3 Pa) and at a r.f. power density from 4.8 to 22.7 mW/cm 2 We developed a complet
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 14:2071-2082
Plasma deposition processes involve complex phenomena which make the design and optimization of industrial equipments difficult. In the particular case of silane‐ammonia plasmas to produce silicon nitride (at very low silane percentage), two flow a