Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"J. P Duchemin"'
Autor:
J.-P. Duchemin
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 601:126939
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60eac2da3bda69450d12228a7680ee10
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126939
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126939
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics Europe.
For two dimensional laser diode arrays, microchannel and impingement coolers have been used successfully to produce low thermal resistance actively-cooled packages. For a repetition rate of 100 Hz, stacks with maximum optical power density of 2.5 kW
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d623d1986d90c9d6194322a2c393633f
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1996.ctum1
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1996.ctum1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 12:345-357
A modified contact resistance profiler has been used to determine the dopinq type of the active layer in GaAs/Ga AlAs double heterostructures qrown by low pressure metalorganic vanour phase enitaxy (LP-MO VPE). It was found that under normal growth c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc5a4b5710780446739039a3449de477
https://doi.org/10.1007/bf02651136
https://doi.org/10.1007/bf02651136
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science and Technology. 16:1126-1129
The surface of epilayers grown by chemical vapor deposition (CVD) cannot be characterized insitu by RHEED, LEED, or Auger spectroscopy methods used for molecular beam epitaxy. But, unlike the epilayers grown by molecular beam epitaxy, those grown by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37e92b61640ace4cddec31d7a3df161c
https://doi.org/10.1116/1.570173
https://doi.org/10.1116/1.570173
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 12:371-395
The low pressure metalorganic chemical vapor deposition epitaxial growth and characterization of InP, Ga0.47In0.53 As and GaxIn1-xAsyP1-y, lattice-matched to InP substrate are described. The layers were found to have the same etch pit density (EPD) a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81f8705a392db4245cf39e28e0fac3cf
https://doi.org/10.1007/bf02651138
https://doi.org/10.1007/bf02651138
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 57:379-386
Conventional chloride and hydride reactors have been shown to present disadvantages for III–V mixed alloy growth, because the growth time of active layers and the delay between two steady state gas compositions were of approximately the same order
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f0b450a2caba19fd2a0604bf24a0954
https://doi.org/10.1016/0022-0248(82)90494-8
https://doi.org/10.1016/0022-0248(82)90494-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.