Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"J. Ondrusek"'
Autor:
C. Chancellor, Srikanth Krishnan, Samuel Martin, Vijay Reddy, Kamel Benaissa, Vijay B. Rentala, Venkatesh Srinivasan, Karan Bhatia, J. Ondrusek
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
The reliability challenges encountered during the design of radio frequency (RF) and mixed-signal circuits are discussed. RF circuits can operate at voltages greater than twice the nominal supply voltage and thus hot-carrier and off-state aging are k
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de3aa24372c52063670495b1a8455c68
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993668
https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993668
Publikováno v:
ESSDERC
A novel on-chip variability and aging sensor has been designed for robust generation of a voltage guard band in high-K/metal gate technologies. It is the first single sensor solution that is capable of guard-banding for both NBTI and PBTI effects. It
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::68e9ef90ba81a94dc3b6b1fcac0b94ca
https://doi.org/10.1109/essderc.2013.6818849
https://doi.org/10.1109/essderc.2013.6818849
Autor:
Zhangfen Qi, J. Ondrusek, Anand T. Krishnan, John Carulli, Srikanth Krishnan, Frank Cano, Palkesh Jain, Steve Zuhoski, Vijay Reddy, Jonathan Masin, C. Chancellor
Publikováno v:
2010 International Electron Devices Meeting.
Circuits employing advanced performance and power management techniques (clock gating, half-cycle paths) are found to be much more sensitive to NBTI primarily due to differential and asymmetric aging, with a 1% transistor drift leading to as much as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cffce0db242aacdb4047bf4584a11b79
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703294
https://doi.org/10.1109/iedm.2010.5703294
Autor:
N. Barton, Vijay Reddy, J. Ondrusek, Tathagata Chatterjee, A. Roy, C. Chancellor, S. Sundar, Kamel Benaissa, S. Shichijo, Alwin J. Tsao, Purushothaman Srinivasan, J. Brighton, N. Yanduru, Chih-Ming Hung, D. Corum, N. Pathak, S. Madhavi, Samuel Martin, Siraj Akhtar, Srikanth Krishnan, Richard J. K. Taylor, Anand T. Krishnan, J. Krick, D. Barry
Publikováno v:
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
The impact of deep sub-micron CMOS transistor reliability on RF oscillator phase noise degradation is demonstrated along with the importance of off-state drain stress for large signal RF applications. Process and device optimization was successful in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a39dd2e09ae9399246c0e16e26877504
https://doi.org/10.1109/iedm.2009.5424341
https://doi.org/10.1109/iedm.2009.5424341
Autor:
M. Ball, J. Vaccani, J. Ondrusek, D. Li, R. Garcia, J. Rosal, F. Piacibello, Theodore W. Houston, S. Ashburn, Anand T. Krishnan, Alwin J. Tsao, W-K. Loh, R. Gury, Jayesh C. Raval, Randy Mckee, R. Hollingsworth, T. Anderson, B. Castellano, Robert H. Eklund
Publikováno v:
2006 International Electron Devices Meeting.
SRAMs are an integral part of system on chip devices. With transistor and gate length scaling to 65nm/45nm nodes, SRAM stability across the product's lifetime has become a challenge. Negative bias temperature instability, defects, or other phenomena
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2cfee1be9d303725807b87cfeb029498
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346883
https://doi.org/10.1109/iedm.2006.346883
Publikováno v:
Journal of forensic sciences. 32(1)
The authors report two cases in which examination of foreign material embedded in or adherent to bullets provided critical information in the reconstruction of a crime scene. Analysis of small particles by scanning electron microscopy (SEM) and energ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::69d12fec27ead1f43a202355492c69be
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/3819687
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/3819687
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.