Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"J. O. Weidner"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 33:75-84
Copper has been suggested as a promising interconnect material for ULSI applications, because of the low resistivity of copper compared to aluminum. Due to decreasing interconnect and contact dimensions, a high electromigration resistance of the meta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8587aaeb78551cdc1583e3527b75f332
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00033-0
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00033-0
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 33:113-120
Reliability of Al based interconnections can be enhanced by using refractory metal base and top layers. Therefore encapsulation of Al alloy lines by selective W-CVD was examined with respect to electromigration stability. The selective W-CVD was perf
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db364688fbe4ac28febdb685957b68d6
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00036-6
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00036-6
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 6:325-329
Ge0.2Si0.8 Quantum Well p-MOSFETs with very thin gate oxides of 5 nm, 2.5 nm cap-layer and an optional Boron doped delta layer fabricated in a standard 0.6 Μm CMOS process have been analysed by C-V and I-V measurements at different temperatures. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::179cb37362338adf36fc4b98327beb04
https://doi.org/10.1007/bf00125887
https://doi.org/10.1007/bf00125887
Publikováno v:
IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2004.
Here, we investigate the impact of polysilicon predoping and physical gate-dielectric thickness scaling on the interaction of CET, J/sub G/, and TDDB reliability for both NMOS- and PMOS-devices for physical thicknesses between 1.28 nm and 1.58 nm. Fu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e503f55e1f8ad13ec3d780f32330b3fb
https://doi.org/10.1109/irws.2004.1422729
https://doi.org/10.1109/irws.2004.1422729
Publikováno v:
European Workshop Materials for Advanced Metallization.
To get insight into thermally induced interface variations in Cu/p-Si and Cu/TiN/p-Si systems, Schottky diodes were fabricated by metal sputtering onto contact windows in SiO/sub 2/ after a thorough cleaning procedure. Patterning of the metal layer w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8a46ad6ad8dd950e719655aaa867dd8a
https://doi.org/10.1109/mam.1997.621059
https://doi.org/10.1109/mam.1997.621059
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.