Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"J. Nxumalo"'
Publikováno v:
Microscopy Today. 29:36-44
2-D junction characterization by dual lens electron holography, scanning capacitance microscopy (SCM), and scanning spreading resistance microscopy (SSRM) on a variety of semiconductor devices is reported, including optical modulators, regular comple
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microscopy and Microanalysis. 24:1464-1465
Publikováno v:
Extended Abstracts of the Fifth International Workshop on Junction Technology.
This article presents the results of a 2D carrier profile analysis of a finished 90 nm MPU with strained silicon by scanning capacitance microscopy (SCM). First, we show that the carrier concentration measurement dynamic range of SCM spans 10/sup 14/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.