Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"J. Nitschkowski"'
Publikováno v:
Crystal Research and Technology. 38:499-505
The formation of grown-in defects in silicon crystals is controlled by the concentration of intrinsic point defects. Under steady state conditions the type of the prevailing point defect species is linked to the ratio of pull rate and temperature gra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01db621b2477de8aa12c86109dfc2e21
https://doi.org/10.1002/crat.200310063
https://doi.org/10.1002/crat.200310063
Publikováno v:
Crystal Research & Technology; Jun2003, Vol. 38 Issue 6, p499-505, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.