Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"J. Nitschkowski"'
Publikováno v:
Crystal Research and Technology. 38:499-505
The formation of grown-in defects in silicon crystals is controlled by the concentration of intrinsic point defects. Under steady state conditions the type of the prevailing point defect species is linked to the ratio of pull rate and temperature gra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::01db621b2477de8aa12c86109dfc2e21
https://doi.org/10.1002/crat.200310063
https://doi.org/10.1002/crat.200310063
Publikováno v:
Crystal Research & Technology; Jun2003, Vol. 38 Issue 6, p499-505, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Antennas & Propagation; May2021, Vol. 69 Issue 5, p2842-2852, 11p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics of Metals & Advanced Technologies; 2010, Vol. 5 Issue 2, p140-151, 12p, 4 Graphs
Today, it is difficult to imagine all spheres of human activity without personal computers, solid-state electronic devices, micro- and nanoelectronics, photoconverters, and mobile communication devices. The basic material of modern electronics and fo
Autor:
Hans Richter, Martin Kittler
GADEST 2003Proceedings of the 10th International Autumn Meeting on Gettering anf Defect Engineering in Semiconductor Technology, September 21-26, 2003, Brandenburg, Germany