Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"J. Nakos"'
Imperatorin, a naturally derived furanocoumarin, exerts promising neuropharmacological properties. Therefore, it might be applicable in the treatment of brain diseases such as depression. In the present project, we aimed to investigate the sex-depend
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::7068ab229bf661af06f9b9c12769498b
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3020025
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3020025
The present study aimed to evaluate xanthotoxin's influence on male and female Swiss mice's depression-like behaviors and investigate the potential mechanism of this effect. Naturally derived furanocoumarin (the Apiaceae family), xanthotoxin, adminis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::5b54e11364870c6a06a5b505975f39ea
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:2997228
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:2997228
Autor:
Li Yulong, Yoshiaki Toyoshima, Judson R. Holt, J. Snare, D. Brown, H. Nii, Paul Ronsheim, L. Brown, R. Mo, K. Hathorn, Shigeru Kawanaka, Werner A. Rausch, Paul D. Agnello, J. Suenaga, G. Sudo, H. Park, P. O'Neil, Bruce B. Doris, M. Tsukamoto, I. Yang, Byoung Hun Lee, John Pellerin, Omer H. Dokumaci, William F. Clark, H. Kimura, Tina Wagner, Dominic J. Schepis, T. Umebayashi, K. Matsumoto, H. Kuroda, Sang Hyun Oh, Dan Mocuta, T. Sato, Y. Kohyama, Philip A. Fisher, Henry K. Utomo, J. Cheek, Anda Mocuta, J. Nakos, Steven W. Mittl, Jeffrey J. Welser, K. Scheer
Publikováno v:
IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
We present enhanced 90 nm node CMOS devices on a partially depleted SOI with 40 nm gate length, featuring advanced process modules for manufacture, including RSD (raised source/drain), disposable spacer, final spacer for S/D doping and silicide proxi
Autor:
J. Lee, Heon Lee, Charles W. Koburger, H. Hansen, S. Luce, J. Givens, William F. Clark, S. Holmes, Bijan Davari, D. Martin, S. Geissler, S. Mittl, J. Nakos, Scott R. Stiffler, James W. Adkisson
Publikováno v:
Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium.
An advanced half-micron CMOS technology is demonstrated. Devices with 0.25-/spl mu/m channel lengths provide high speed. Reduced supply voltage is employed to provide reliability with low-cost processing. A damascene tungsten interconnect fabricated
Publikováno v:
Electrical Overstress/ Electrostatic Discharge Symposium Proceedings. 1998 (Cat. No.98TH8347).
The impact of MOSFET source/drain junction scaling on the ESD robustness of shallow trench isolation (STI)-defined diode structures is shown for the first time. ESD robustness improvements to STI-bound p/sup +/ diodes using germanium preamorphization
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.