Zobrazeno 1 - 10
of 278
pro vyhledávání: '"J. Nagayama"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A highly integrated 65-nm SoC process with enhanced power/performance of digital and analog circuits
Autor:
J. Mitani, T. Bakhishev, Taiji Ema, Y. Liu, D. Zhao, M. Duane, Yasunobu Torii, Kazushi Fujita, Y. Asada, D. Kidd, H. Ahn, Mitsuaki Hori, Thomas Hoffmann, J. Nagayama, L. Scudder, S. Pradhan, L. T. Clark, R. Rogenmoser, P. Gregory, S. Lee, D. Kanai, M. Wojko, Scott E. Thompson, Lucian Shifren, Pushkar Ranade, E. Boling
Publikováno v:
2012 International Electron Devices Meeting.
65nm Deeply Depleted Channel (DDCTM) transistors have been fabricated with a halo-free, un-doped epitaxial channel and enable reduced threshold voltage (V T ) variation, lower supply voltage (V CC ), enhanced body effect and I EFF . Digital circuits
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cb787f112a6014d36cfea8bf59042bcb
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6479042
https://doi.org/10.1109/iedm.2012.6479042
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Miyashita, K. Ikeda, Y. S. Kim, T. Yamamoto, Y. Sambonsugi, H. Ochimizu, T. Sakoda, M. Okuno, H. Minakata, H. Ohta, Y. Hayami, K. Ookoshi, Y. Shimamune, M. Fukuda, A. Hatada, K. Okabe, T. Kubo, M. Tajima, E. Motoh, T. Owada, M. Nakamura, H. Kudo, T. Sawada, J. Nagayama, A. Satoh, T. Mori, A. Hasegawa, H. Kurata, K. Sukegawa, A. Tsukune, S. Yamaguchi, M. Kase, T. Futatsugi, S. Satoh, T. Sugii
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
We present an aggressively-scaled high-performance and low-power bulk CMOS platform technology aiming at large-scale (multi-core) high-end use with 45-nm ground rule. By utilizing a high-epsilon offset spacer and FET specific multiple-stressors with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e94a4a6d73edad87e81ccea5e1deeaad
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418915
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418915
Publikováno v:
Proceedings of the International Symposium on Turbulence, Heat and Mass Transfer.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::060b5d9faa750618a2c59dfafd0b11ab
https://doi.org/10.1615/ichmt.2006.turbulheatmasstransf.1000
https://doi.org/10.1615/ichmt.2006.turbulheatmasstransf.1000