Zobrazeno 1 - 10
of 136
pro vyhledávání: '"J. Mickevičius"'
Autor:
J. Mickevičius, J. Jurkevičius, A. Kadys, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gaska
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 6, Iss 4, Pp 045212-045212-5 (2016)
Luminescence efficiency droop has been studied in AlGaN epitaxial layers and multiple quantum wells (MQWs) with different strength of carrier localization in a wide range of temperatures. It is shown that the dominant mechanism leading to droop, i.e.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9e30034d0b1b401bbe28a630cb5263ab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Mickevičius, E. Valkiūnaitė, Ž. Podlipskas, K. Nomeika, S. Nargelas, G. Tamulaitis, Y.C. Chow, S. Nakamura, J.S. Speck, C. Weisbuch, R. Aleksiejūnas
Publikováno v:
Journal of Luminescence. 257:119732
Autor:
D. Dobrovolskas, Tadas Malinauskas, Arūnas Kadys, Gintautas Tamulaitis, J. Mickevičius, T. Steponavičius, Marek Kolenda
Publikováno v:
Applied Surface Science. 427:1027-1032
Capabilities of repeated deposition of ultrathin layers by pulsed metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) for improvement of structural and luminescence properties of InN thin films on GaN/sapphire templates were studied by varying the growth
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kazimieras Badokas, Gintautas Tamulaitis, Tadas Malinauskas, Sandra Stanionytė, D. Dobrovolskas, J. Mickevičius, Arūnas Kadys, J. Jurkevičius
Publikováno v:
physica status solidi (b). 252:1138-1141
BGaN epilayers were grown on GaN/sapphire templates in hydrogen atmosphere by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The growth was attempted at different temperatures and flow rates of triethylboron, which was used as boron precursor. Acco
Autor:
M. Dmukauskas, H. Lugauer, Algirdas Selskis, J. Mickevičius, Tadas Malinauskas, Arūnas Kadys, Rokas Kondrotas, Martin Strassburg, J. Aleknavičius, T. Grinys, R. Tomašiūnas, Sandra Stanionytė
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 44:188-193
InN and In-rich InGaN layers have been grown on GaN templates using the pulsed metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique and compared with analogous layers grown by conventional MOCVD. Structural investigations were performed using x-r
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Michael Shur, R. Aleksiejunas, R. S. Qhalid Fareed, J. Mickevičius, Gintautas Tamulaitis, M.A. Khan, Remis Gaska, J. P. Zhang
Publikováno v:
physica status solidi (c). 2:2095-2098
We report on using Migration Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MEMOCVDTM) buffers for increasing lifetime of non-equilibrium carriers in GaN and AlGaN players grown on sapphire and SiC substrates. Photoluminescence (PL) and the light-